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摘要: 结构陶瓷蠕变断裂或因遍及材料内部的晶界孔洞的成核、生长及合并引起,或因其内部的主要缺陷的生长引起.本文综述了用小角度中子散射(SANS)方法得到的最新实验结果和立体映象应变分析;并将它们用于回答大量的与上述两种机理有关的关键性问题.用SANS结果及其它相关的研究结果考察了晶界孔洞的成核、生长过程.演示并讨论了孔洞的随机性.把蠕变裂纹生长过程描述为直接质量传输过程或损伤区生长过程.提出了与损伤区生长有关的新的立体映象应变分析结果,并用其说明裂纹生长过程和生长门槛值
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